W27E512-45是一款由Winbond公司生产的512K位(64K x 8)CMOS静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用高速访问时间设计,适用于需要快速数据读写的应用场合。W27E512-45支持异步操作,具备低功耗和高速度的特点,适用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统等应用场景。
容量:512Kbit (64K x 8)
组织结构:x8
访问时间:45ns
电源电压:5V
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
封装类型:28引脚TSOP、28引脚SOIC
工作模式:异步
输入/输出电平:TTL兼容
W27E512-45 SRAM芯片具备高速访问能力,访问时间低至45ns,确保系统在高频操作下的稳定性。
其512Kbit的存储容量适合中等规模的数据缓存需求,适用于需要非易失性存储器作为辅助存储的系统。
该芯片采用CMOS技术,具有较低的功耗,在待机模式下功耗极低,有助于延长设备电池寿命或减少热量产生。
支持TTL电平输入输出,便于与多种数字电路兼容,简化系统设计。
W27E512-45提供工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于严苛环境下的工业和通信设备应用。
封装形式包括28引脚TSOP和SOIC,方便在不同PCB布局中使用,提高设计灵活性。
此外,该芯片具备高可靠性和长寿命,适用于需要长期稳定运行的嵌入式系统。
W27E512-45广泛应用于各种需要高速静态存储器的系统中,例如:工业自动化控制系统,如PLC、HMI设备等;通信设备,如路由器、交换机中的缓存管理;网络设备中的数据缓冲和临时存储;嵌入式系统中的程序和数据存储;测试仪器和测量设备中的高速数据采集与处理;消费类电子产品中的缓存扩展等场景。
IS61LV51216ALB45B, CY62148EVLL-45ZSXC, IDT71V128SA45PFG, AS7C256A-45BC