时间：2025/9/14 4:33:37
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BUK9Y27-40B,115 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供高效率和低导通电阻，适用于工业自动化、电源供应器、电池管理系统以及电动工具等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：40V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：150A
导通电阻(RDS(on))：最大4.2mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散(Ptot)：225W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK9Y27-40B,115 是一款优化了导通损耗和开关性能的功率MOSFET。其核心特性包括极低的RDS(on)，这使得在高电流条件下功耗显著降低，提高了整体系统效率。该器件采用了NXP先进的TrenchMOS技术，实现了更小的芯片尺寸和更高的电流密度。
此外，该MOSFET具有出色的热性能，其TO-263（D2PAK）封装支持良好的散热能力，有助于在高负载条件下保持稳定运行。其栅极设计支持快速开关操作，降低了开关损耗，非常适合高频开关电源应用。
在可靠性方面，BUK9Y27-40B,115 具有较高的雪崩能量耐受能力，可在瞬态过压条件下提供额外的安全保障。该器件还具备良好的抗短路能力，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车应用环境。
BUK9Y27-40B,115 适用于多种高功率和高效率要求的电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统（BMS）、UPS系统、工业电源以及电动工具和电动自行车等电动交通工具的功率控制模块。
此外，该MOSFET也可用于负载开关、电源管理单元以及需要高效能功率控制的消费类电子产品中。其高电流能力和低导通电阻使其成为设计高效电源转换系统时的理想选择。
SiR178DP, Infineon IPP110N10N3G, STMicroelectronics STP150N4F7AG, ON Semiconductor NTMFS4C10N
