BAS40WS 43是一款由恩智浦(NXP)半导体制造的表面贴装双二极管芯片,适用于各种电子应用。该器件采用小型SOT-363封装,适合高密度PCB设计。BAS40WS 43由两个独立的开关二极管组成,具有快速开关能力和低电容特性,适合高频应用。该器件广泛用于信号切换、保护电路和数字逻辑电路中。
类型:双二极管
封装:SOT-363
最大重复反向电压:100 V
最大正向电流:100 mA
反向漏电流:100 nA(最大)
正向电压:1 V(最大)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-65°C 至 150°C
结电容:25 pF(典型值)
BAS40WS 43具有多项显著的性能特性。首先,它采用SOT-363封装,这种小型封装不仅节省空间,还便于自动化组装,适用于高密度印刷电路板设计。其次,器件的两个独立二极管具备快速开关能力,适合高频信号切换应用。其最大重复反向电压为100V,最大正向电流为100mA,使其适用于多种中低功率电子电路。此外,BAS40WS 43具有低漏电流特性,在反向偏置条件下漏电流仅为100nA,这有助于降低电路功耗并提高稳定性。其正向电压降最大为1V,这在信号处理和电源管理应用中表现良好。器件的工作温度范围为-55°C至150°C,适合在各种环境条件下运行,包括工业级应用。另外,BAS40WS 43的结电容仅为25pF,使其在高频信号路径中具有优异的性能,可有效减少信号失真和干扰。由于其可靠的性能和紧凑的设计,BAS40WS 43被广泛用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
BAS40WS 43主要应用于信号切换、保护电路和数字逻辑电路。由于其双二极管结构和快速开关特性,该器件常用于模拟和数字信号路径中的隔离与切换。在保护电路中,BAS40WS 43可用于防止静电放电(ESD)和过压事件对敏感电子元件造成损害。在数字逻辑电路中,它可以作为钳位二极管或逻辑门的控制元件。此外,BAS40WS 43的低电容特性使其非常适合射频(RF)和高频信号处理应用,如无线通信模块、射频开关和调谐电路。在工业控制系统中,该器件可用于继电器驱动、传感器接口和电源管理电路。在汽车电子系统中,BAS40WS 43可用于车身控制模块、车载娱乐系统和电池管理系统。由于其小型封装和高可靠性,BAS40WS 43也适用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
BAS70W-7-F, BAS316-7-F