DMN3115UDM-7-F 时间：2025/7/9 22:08:27 阅读：5

DMN3115UDM-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN3020-8封装，具有极低的导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备、消费类电子产品的负载开关、同步整流以及DC-DC转换器等应用。
　　这款MOSFET特别适合对空间敏感的应用场景，因为它的封装尺寸非常小，同时还能保持出色的电气性能。

参数

型号：DMN3115UDM-7-F
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　Vds（漏源电压）：30V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值@Vgs=4.5V）：6mΩ
　　Rds(on)（导通电阻，最大值@Vgs=4.5V）：8mΩ
　　Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.2V（典型值）
　　Id（连续漏极电流）：8A
　　Qg（总栅极电荷）：4nC
　　EAS（雪崩击穿能量）：330μJ
　　封装：DFN3020-8（3mm x 2mm）

特性

DMN3115UDM-7-F的主要特点是其低导通电阻和小型化封装，这使得它在功率密度要求较高的应用中表现优异。
　　1. 极低的Rds(on)，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频开关应用。
　　3. 小型DFN3020-8封装，节省PCB空间。
　　4. 较高的电流处理能力（高达8A），适用于多种负载条件。
　　5. 高雪崩击穿能量，增强了器件的耐用性和可靠性。
　　这些特性使DMN3115UDM-7-F成为消费类电子产品、移动设备和其他紧凑型设计的理想选择。

应用

DMN3115UDM-7-F广泛应用于各种需要高效功率管理的场合，包括但不限于：
　　1. 消费类电子设备中的负载开关。
　　2. 同步整流电路，用于提高电源转换效率。
　　3. DC-DC转换器中的开关元件。
　　4. 电池供电设备中的电源管理模块。
　　5. 便携式设备中的过流保护和短路保护。
　　由于其低导通电阻和小型封装，这款MOSFET特别适合那些需要高性能和高集成度的设计。