时间：2025/8/25 0:19:28
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G180N60是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率电子设备中。这种晶体管通常用于开关模式电源（SMPS）、逆变器和电机控制等应用。G180N60以其高耐压、大电流能力和低导通电阻而著称，使其成为高效能功率转换设备的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：180A
最大漏-源电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：约0.065Ω
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
G180N60 MOSFET的一个显著特性是其高耐压能力，能够承受高达600V的漏-源电压，使其适用于高电压环境。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件具备高电流承载能力，可支持高达180A的漏极电流，适用于需要大功率输出的应用。G180N60还具有良好的热稳定性和耐用性，能够在极端温度条件下正常工作，提高了设备的可靠性和寿命。
G180N60采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能，有助于在高功率操作时保持较低的温度上升。这种封装还提供了良好的机械强度和电气绝缘性能，以确保设备在各种工作环境下的稳定性和安全性。此外，该MOSFET的栅极电压范围较宽，为±20V，允许在不同的驱动条件下保持稳定的性能。
G180N60 MOSFET常用于高功率电子设备中，如开关模式电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电机驱动器和工业自动化设备。在开关模式电源中，G180N60用于高效率的功率转换，提供稳定的电压和电流输出。在逆变器应用中，它用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。在电机控制领域，G180N60可用于驱动高功率电机，提供高效的电机控制解决方案。此外，它还可用于工业电源、焊接设备和电镀设备等高功率应用。
IRGP4063, FGA25N60
