时间：2025/12/27 22:02:49
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BSR13-TRL是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装，适用于便携式电子设备和高密度PCB布局中的开关与放大应用。该器件专为低电压、低功耗应用设计，具备优异的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在有限的功率损耗下实现高效的电源管理与负载控制。BSR13-TRL属于Trench MOSFET技术系列，通过先进的沟道结构优化了载流子迁移率，从而提升了整体性能。该MOSFET广泛用于电池供电设备、智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类消费类电子产品中。
该器件采用DFN1006-3（双扁平无引脚）封装，尺寸紧凑，仅为1.0mm × 0.6mm × 0.45mm，非常适合空间受限的应用场景。其小尺寸不仅有助于缩小终端产品的体积，还能减少寄生电感和电阻，提升高频开关效率。BSR13-TRL在制造过程中符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子制造对环境友好型元件的需求。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在正常工作条件下可长期稳定运行，适合自动化贴片生产线的大规模使用。
型号：BSR13-TRL
制造商：ROHM Semiconductor
封装/外壳：DFN1006-3
晶体管极性：N沟道
漏源电压（Vds）：20V
连续漏极电流（Id）：1.8A
阈值电压（Vgs(th)）：0.6V ~ 1.0V
导通电阻Rds(on)：65mΩ @ Vgs=4.5V；95mΩ @ Vgs=2.5V
栅源电压（Vgs）：±12V
功耗（Pd）：500mW
工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
输入电容（Ciss）：约220pF @ Vds=10V
开启延迟时间（td(on)）：约8ns
关断延迟时间（td(off)）：约15ns
BSR13-TRL采用了ROHM先进的Trench MOSFET结构技术，这种结构通过在硅基底上刻蚀出垂直沟道来增加单位面积内的有效导电通道数量，显著降低了导通电阻Rds(on)，同时保持较低的栅极电荷Qg。这使得器件在高频开关应用中表现出更低的传导损耗和开关损耗，提高了系统整体能效。该MOSFET的低阈值电压特性（典型值为0.7V）使其能够兼容低电压逻辑信号驱动，例如1.8V或2.5V的微控制器输出，无需额外的电平转换电路即可直接控制，简化了设计复杂度并节省了外围元件成本。
该器件具备出色的热性能表现，得益于DFN1006-3封装底部集成的散热焊盘，能够将工作时产生的热量高效传导至PCB上的接地铜箔区域，从而有效降低结温上升幅度。即使在高负载持续工作的条件下，也能维持稳定的电气性能，避免因过热导致的性能下降或损坏。此外，该封装形式具有良好的机械强度和抗振动能力，适合在移动设备或工业环境中使用。
BSR13-TRL还具备较强的抗静电能力（HBM ESD耐压可达±2000V），增强了器件在装配和使用过程中的可靠性。其快速的开关响应时间（开启约8ns，关断约15ns）使其适用于DC-DC转换器、负载开关、LED背光驱动等需要快速响应的应用场景。由于其低漏电流和静态功耗，该器件在待机或休眠模式下几乎不消耗额外能量，有助于延长电池供电设备的续航时间。综合来看，BSR13-TRL是一款集高性能、小尺寸、低功耗于一体的先进MOSFET器件，适用于对空间和效率要求严苛的现代电子系统设计。
BSR13-TRL广泛应用于各类低电压、高效率的便携式电子设备中。常见用途包括智能手机和平板电脑中的电源管理模块，作为负载开关用于控制不同功能模块（如显示屏、摄像头、传感器）的供电通断，以实现节能和延长电池寿命的目的。在DC-DC降压或升压转换电路中，该MOSFET可作为同步整流开关使用，利用其低导通电阻减少能量损耗，提高转换效率。此外，它也常用于LED驱动电路中，特别是在背光调节或闪光灯控制场合，凭借其快速开关能力和良好线性区控制特性，能够实现精确的亮度调节。
在物联网（IoT）设备和可穿戴产品（如智能手表、健康监测手环）中，BSR13-TRL因其微型化封装和低功耗特性成为理想选择，能够在有限的空间内实现高效的电源切换控制。工业手持设备、无线传感器节点以及小型电机驱动电路中也有广泛应用。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，该器件也可用于汽车电子中的低功率控制单元，例如车内照明控制、车载信息娱乐系统的电源管理等非主驱系统部分。总之，任何需要小型化、高效能N沟道MOSFET进行开关控制的低压直流系统均可考虑采用BSR13-TRL作为核心开关元件。
DMG1012UFG-7
FDS6670A
AO1862
SI2302CDS
