G15N40L 时间：2025/12/29 14:53:24 阅读：16

G15N40L 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性，适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机控制和负载开关等场景。G15N40L采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于中高功率等级的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：400V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

G15N40L MOSFET具有多项优异的电气和热性能，适用于高可靠性和高效率的电源系统。其最大漏源电压为400V，能够在高压环境下稳定工作，适用于开关电源和DC-DC转换器等应用场景。该器件的导通电阻较低，最大值为0.32Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，G15N40L的连续漏极电流为15A，能够支持较高的负载能力，适用于需要较大电流输出的电源设计。其TO-220封装形式具备良好的散热能力，有助于提高器件在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具备较强的抗过压能力，适合用于各种驱动电路设计。其功率耗散能力为60W，可在较宽的温度范围内正常工作（-55°C至+150°C），适用于工业级和消费类电子产品。

应用

G15N40L主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及各种负载开关电路。由于其高耐压和较大的电流承载能力，它特别适用于需要高效能和高稳定性的电源转换系统。
　　在工业自动化设备中，G15N40L可用于控制电机、继电器和电磁阀等执行元件的开关操作。在LED照明驱动电路中，该器件也可用于功率调节和调光控制。此外，它还常用于消费类电子产品的电源管理模块，如充电器、适配器和家用电器的内部电源系统。