时间：2025/12/28 14:40:58
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TF15S60是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压、高频率的开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：600V
最大连续漏极电流（ID）@25°C：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
最大功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
TF15S60具有优异的导通和开关性能，主要得益于其优化设计的沟槽栅极结构。该结构不仅降低了导通电阻，还减少了开关损耗，从而提高了整体效率。
此外，TF15S60具备较高的雪崩能量耐受能力，使其在瞬态过电压条件下仍能保持稳定运行。这种特性对于保护电路免受电压尖峰影响至关重要。
该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。TO-220封装还提供了足够的机械强度，便于安装和使用。
TF15S60的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用。这种宽温范围使其在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中都能稳定运行。
同时，TF15S60的栅极阈值电压在2V到4V之间，使其能够与多种驱动电路兼容，包括常见的微控制器和专用驱动IC。这种灵活性简化了电路设计并提高了系统的可靠性。
TF15S60适用于多种高电压和高功率应用场景。在电源管理领域，该器件常用于AC-DC电源适配器、服务器电源和LED驱动电源中，提供高效的功率转换。
在工业自动化设备中，TF15S60可用于电机控制、伺服驱动器和工业机器人等应用，其高效率和高可靠性有助于提高设备的运行效率和稳定性。
此外，TF15S60还可用于DC-DC转换器，特别是在需要高效率和高功率密度的设计中，如电动汽车充电器、太阳能逆变器和储能系统。
在消费类电子产品中，TF15S60可用于高性能电源管理模块，如高功率音响系统、电动工具和智能家电等，提供稳定可靠的电源支持。
TK15A60D, IRF840, FDPF15N60, STF15N60
