MTW10N40E是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电压和高功率应用。这款MOSFET的设计使其适用于需要高效能和高可靠性的工业和汽车应用,例如电源管理、电机控制和DC-DC转换器。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):400V
漏极电流(Id):10A
栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):最大0.54Ω(在Vgs=10V时)
功率耗散(Pd):125W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
MTW10N40E具有低导通电阻,这使其在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。其高耐压能力(400V)使其适用于高压系统,例如工业电源和马达驱动器。
该器件的栅极驱动电压范围为±20V,确保了稳定的工作性能,同时具备较高的抗干扰能力。MTW10N40E采用TO-220封装形式,具有良好的热管理和散热性能,适合高功率密度的设计需求。
此外,该MOSFET具备良好的短路和过载保护能力,增强了系统的稳定性和可靠性。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)使其能够在恶劣环境条件下正常工作,适用于工业自动化、汽车电子等要求较高的应用领域。
MTW10N40E广泛应用于多种高电压和高功率电子系统中。例如,在工业设备中,它被用于开关电源(SMPS)和逆变器设计,以实现高效的能量转换。在汽车电子系统中,该MOSFET可用于电机控制、电池管理系统(BMS)以及车载充电器等场景。
此外,该器件还适用于家用电器中的高功率负载控制,例如空调压缩机、洗衣机马达驱动器等。由于其高可靠性和良好的热性能,MTW10N40E也常用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统和DC-DC转换器模块中。
在自动化控制系统中,该MOSFET可用于控制大功率执行器和继电器,提高系统的响应速度和能效。
STW10NK50Z, IRF740, FQA10N40C