MMSZ5226BT/R 是一款由ON Semiconductor生产的表面贴装(SMD)硅齐纳二极管,适用于需要精确电压参考和电压调节的电路。该器件采用SOD-123封装,具有较小的封装尺寸,适合空间受限的应用场景。MMSZ5226BT/R的齐纳电压为3.3V,具有较宽的工作电流范围和良好的温度稳定性,适合用于保护电路、稳压电路以及电压参考电路。
器件类型:齐纳二极管
封装类型:SOD-123
齐纳电压:3.3V
最大齐纳电流:200mA
最大耗散功率:300mW
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
引脚数:2
最大漏电流(VR):100nA(典型值)
最大动态阻抗(Zzt):90Ω
最大反向电压(VR):3.3V
MMSZ5226BT/R 齐纳二极管具备多项优良特性,适用于精密电压调节和参考应用。其齐纳电压为3.3V,允许在较宽的电流范围内保持稳定的输出电压。该器件的最大齐纳电流为200mA,具备较强的负载能力,可满足大多数低功耗电路的需求。MMSZ5226BT/R的封装形式为SOD-123,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。
该齐纳二极管的最大耗散功率为300mW,能够在较高温度环境下稳定工作。其工作温度范围为-55°C至150°C,适合工业级应用。MMSZ5226BT/R的漏电流较低,典型值为100nA,确保在关断状态下不会对电路造成显著影响。此外,该器件的动态阻抗(Zzt)最大为90Ω,有助于在负载变化时保持电压的稳定性。
MMSZ5226BT/R还具备良好的瞬态响应能力,能够快速响应电压波动,提供稳定的电压输出。其反向击穿电压的容差较小,确保了电压参考的精度。该器件的制造工艺符合RoHS标准,支持无铅焊接,适用于环保型电子产品。
MMSZ5226BT/R 主要应用于需要稳定电压参考或电压调节的电路中。常见应用场景包括电源管理电路、电池供电设备、电压检测电路、模拟信号处理电路以及微控制器系统的电压基准源。该器件也可用于保护电路中,防止过电压对后续电路造成损坏。
在电源管理方面,MMSZ5226BT/R可用于低压差稳压器(LDO)的参考电压源,确保输出电压的稳定性。在电池供电设备中,它可以作为电压监测电路的一部分,用于检测电池电压是否低于设定阈值。在模拟电路中,该齐纳二极管可提供稳定的偏置电压,确保放大器或比较器的工作点稳定。
此外,MMSZ5226BT/R还可用于通信设备、传感器接口电路、工业控制系统、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备)等。由于其SOD-123封装形式,该器件特别适合需要小型化设计的便携式设备。
MMSZ5226B、MMBZ5226B、1N4728A、BZX84-C3V3