IXXH30N60B3 时间：2025/8/6 8:43:32 阅读：25

IXXH30N60B3是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率应用场合。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻、高开关速度和高耐压等特性。IXXH30N60B3适用于电源转换器、DC-AC逆变器、电机驱动和开关电源等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：30A
　　最大漏源电压：600V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.24Ω
　　栅极电荷：58nC
　　最大功率耗散：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXXH30N60B3具有多个关键特性，使其适用于高功率电子系统。首先，其最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压应用环境。其次，导通电阻仅为0.24Ω，有效降低了导通损耗，提高了能效。此外，该器件的最大漏极电流为30A，能够支持大电流工作条件。
　　该MOSFET采用了先进的硅技术，具有出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。其栅极电荷为58nC，有助于提高开关速度，降低开关损耗。TO-247封装形式提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。
　　另外，IXXH30N60B3具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和PWM控制器。其低导通损耗和高开关效率使其成为高效能电源系统中的理想选择。

应用

IXXH30N60B3广泛应用于多种高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电机驱动器和功率因数校正（PFC）电路。在开关电源中，该器件用于主开关元件，负责高效的能量转换。在逆变器系统中，IXXH30N60B3可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
　　此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备中的电机控制电路，提供高效的电机驱动能力。在功率因数校正电路中，IXXH30N60B3能够有效提升系统的功率因数，减少电网侧的谐波干扰。由于其高可靠性和良好的热性能，该器件也被广泛用于汽车电子、LED照明驱动和工业电源系统中。