CBM321609U310T 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的高效功率 MOSFET,专为高电压、高频开关应用场景设计。其独特的材料特性和优化的结构设计使其能够在高温和高压条件下保持卓越的性能表现。该型号广泛应用于工业电源、电动汽车充电系统、光伏逆变器以及各类高频开关电源中。
CBM321609U310T 提供了出色的导通电阻和低开关损耗,能够显著提升系统的效率和可靠性。此外,它还具有良好的热稳定性和抗电磁干扰能力,适合要求苛刻的电力电子应用。
最大漏源电压:1700V
连续漏极电流:31A
导通电阻:16mΩ
栅极电荷:150nC
开关频率:100kHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 使用碳化硅材料制造,具备更高的耐压能力和更低的导通损耗。
2. 高效的热管理设计,允许在极端温度条件下运行。
3. 支持高频操作,降低系统磁性元件的体积和重量。
4. 内置保护功能,包括过流保护和短路耐受能力。
5. 封装形式紧凑,便于集成到小型化设计中。
6. 稳定的电气性能和长寿命,确保系统的长期可靠运行。
1. 工业级大功率电源模块。
2. 新能源汽车车载充电器 (OBC) 和直流快充桩。
3. 光伏逆变器中的 DC-DC 和 DC-AC 转换电路。
4. 高频 AC-DC 开关电源。
5. 不间断电源 (UPS) 和电机驱动控制。
6. 其他需要高效率和高可靠性的电力转换场景。
CMF321609U310T, CSM321609U310T