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FZT655TA 发布时间 时间:2025/8/2 8:56:13 查看 阅读:20

FZT655TA是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极性晶体管(BJT),广泛应用于功率放大和开关电路中。这款晶体管以其高电流承载能力和良好的热稳定性著称,适用于多种电子设备和工业控制系统。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(Vce):80V
  最大集电极电流(Ic):3A
  最大功耗(Ptot):25W
  电流增益(hFE):在Ic=2mA时为110至800,具体取决于等级
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

FZT655TA具有多项显著特性,使其在功率晶体管市场中备受青睐。首先,其高电流承载能力使其能够处理较大的负载电流,适用于需要高功率输出的应用场景。其次,该晶体管具备良好的热稳定性和散热性能,能够在较高温度环境下稳定工作,提高了系统的可靠性。此外,FZT655TA的封装形式为TO-220,便于安装和散热,适用于多种电路设计。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C)也使其能够在极端环境条件下正常运行。最后,该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,从110到800,提供了灵活的设计选择,以满足不同的放大需求。
  FZT655TA的另一个重要特性是其较高的击穿电压(Vce为80V),使其在高压应用中表现出色。此外,最大功耗为25W,进一步增强了其在高功率应用中的适用性。这些特性共同使得FZT655TA成为一种可靠且高效的功率晶体管解决方案。

应用

FZT655TA广泛应用于多种电子设备和系统中,尤其是在需要高功率放大的场合。常见的应用包括音频功率放大器、电源开关电路、电机控制电路、逆变器和转换器设计,以及工业自动化和控制系统。其高电流和高电压特性使其非常适合用于驱动大功率负载,如电动机、继电器和灯泡。此外,FZT655TA还可用于电源管理电路,提供高效的开关和调节功能。

替代型号

FZT655TA的替代型号包括BC337、2N2222和2N3904等。

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FZT655TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)150V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 200mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)50 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换30MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FZT655TR