时间：2025/5/16 14:26:55
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FZ-1860UWWC1000A08 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，适用于高效率、高频开关电源及电机驱动等应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，从而有效降低了功率损耗。
该型号属于 FZ 系列，优化了热性能和电气性能，广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备等领域。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
栅极电荷(Qg)：120nC
开关频率：高达 1MHz
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
FZ-1860UWWC1000A08 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度和低栅极电荷，有助于减少开关损耗，特别适合高频应用。
3. 高额定电流 Id 和高耐压 Vds，确保在大功率场景下的稳定运行。
4. 优化的热性能设计，支持更高的功率密度和更紧凑的系统设计。
5. 宽工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器，用于提升转换效率。
2. 电机驱动和逆变器电路，为高效功率传输提供支持。
3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
4. 通信设备中的负载开关和保护电路。
5. 汽车电子中的电池管理系统(BMS) 和电动助力转向系统(EPAS)。
FZ-1860UWWC1000B08, IRF3205, AO3400
