您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MMBD7000LT1

MMBD7000LT1 发布时间 时间:2025/6/20 20:29:51 查看 阅读:3

MMBD7000LT1 是一款 NPN 型硅双极晶体管,采用 SOT-23 小型表面贴装封装。该晶体管主要用于高频放大和开关应用,具有低噪声、高增益和快速开关的特性。其出色的电气性能使其广泛应用于消费类电子产品、通信设备及工业控制领域。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极电流(IC):200mA
  直流电流增益(hFE):最小值 110,最大值 450
  过渡频率(ft):800MHz
  功耗(Ptot):340mW
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

MMBD7000LT1 晶体管具备以下主要特性:
  1. 高增益性能,在信号放大方面表现出色。
  2. 快速切换能力,适合高频应用。
  3. 超小型 SOT-23 封装设计,节省印刷电路板空间。
  4. 工作温度范围广,能够适应恶劣环境条件。
  5. 低饱和电压,提高效率并减少功率损耗。
  6. 稳定性好,适用于要求高可靠性的场景。

应用

该晶体管可应用于多种领域:
  1. 音频和射频放大器中的信号增强。
  2. 开关电源和 DC-DC 转换器中的开关元件。
  3. 数据通信接口的信号处理与驱动。
  4. 各种消费电子产品的控制电路。
  5. 传感器信号调理与传输。
  6. 电池管理系统的保护与监控功能。

替代型号

MMBT7000LT1, MMBT7000

MMBD7000LT1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MMBD7000LT1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MMBD7000LT1参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电3µA @ 100V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)200mA(DC)
  • 电压 - (Vr)(最大)100V
  • 反向恢复时间(trr)4ns
  • 二极管类型标准
  • 速度小信号 =
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称MMBD7000LT1OSCT