类型：NPN型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LMBD2836LT1H晶体管具有出色的高频性能，能够在高达250MHz的频率下保持稳定的增益表现，适合射频和高速开关应用。
　　其SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装，提升了整体设计的灵活性。此外，该晶体管的增益范围较宽（110-800），能够适应不同电路需求，提供良好的信号放大能力。
　　LMBD2836LT1H的低噪声系数和高线性度使其在低噪声放大器和射频前端电路中表现出色。该晶体管在小信号放大和逻辑电平转换等应用中也表现出良好的稳定性和可靠性。
　　此外，LMBD2836LT1H具有良好的热稳定性和过载保护能力，能够在较高的环境温度下正常工作。其低饱和压降（VCE(sat)）特性也有助于降低功耗，提高电路效率。

LMBD2836LT1H晶体管主要应用于高频放大器、射频信号放大、无线通信系统、蓝牙模块、Wi-Fi设备、射频识别（RFID）系统、低噪声放大器（LNA）和射频前端电路。
　　此外，它还广泛用于音频放大器、逻辑电平转换、数字开关电路、传感器接口电路、LED驱动电路以及各种便携式电子产品中的信号处理模块。
　　在无线通信设备中，LMBD2836LT1H常用于射频信号的前置放大和功率放大，能够有效提升接收灵敏度和传输距离。在消费类电子产品中，该晶体管可用于音频放大器的前置级，提供高保真音质输出。

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, PN2222A