类型：功率MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　漏极电流（ID）：40A（在TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为32mΩ
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：200W
　　技术：沟槽栅MOSFET

FXN40N20C 是一款基于富士电机先进沟槽栅技术的功率MOSFET，其核心优势在于低导通电阻（RDS(on)）和高开关性能。该器件的RDS(on)最大为32mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。此外，其200V的漏源电压使其适用于中高功率的电源转换系统。
　　该MOSFET具备高耐压能力和优异的热稳定性，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能，有助于降低结温，提高器件的可靠性和使用寿命。
　　FXN40N20C 还具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。其±20V的栅极电压耐受能力增强了器件在高噪声环境下的抗干扰能力，确保控制信号的稳定性。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。

FXN40N20C 主要应用于需要高效功率转换的场合，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动系统以及工业自动化设备。在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块中，该MOSFET也发挥着重要作用。其优异的导通特性和高可靠性使其成为高效率、高频率电源系统设计中的理想选择。

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