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SI2312DS-T1 发布时间 时间:2025/7/4 0:31:21 查看 阅读:15

SI2312DS-T1 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23-3L 封装,适用于空间受限的应用场合。其低导通电阻和出色的开关性能使其成为便携式电子设备、电池管理电路以及信号切换的理想选择。
  该芯片设计用于高效能的电源管理和开关应用,能够在较低的电压下实现高效的电流控制。此外,它具有极低的栅极电荷和快速的开关速度,从而减少了功率损耗并提升了系统效率。

参数

最大漏源电压(Vds):20V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):1.4A
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ(典型值,当 Vgs=4.5V 时)
  栅极电荷(Qg):6nC(典型值)
  总功耗(Ptot):420mW
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SI2312DS-T1 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关速度,适合高频开关应用。
  3. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  4. 采用 SOT-23-3L 小型封装,节省 PCB 空间。
  5. 高静电防护能力,提高系统可靠性。
  6. 可在较宽的工作温度范围内稳定运行,适用于多种环境条件。

应用

该芯片广泛应用于各种低功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 便携式电子产品中的负载开关。
  2. 电池供电设备中的电源管理。
  3. 电机驱动电路中的开关元件。
  4. 各类信号切换应用。
  5. LED 驱动电路中的电流控制元件。
  6. 保护电路中的过流保护功能。

替代型号

SI2302DS, BSS138, 2N7000

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SI2312DS-T1参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压20 V
  • 闸/源击穿电压+/- 8 V
  • 漏极连续电流3.77 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.033 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-236-3
  • 封装Reel
  • 下降时间40 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散750 mW
  • 上升时间40 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 典型关闭延迟时间48 ns