您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FW344-TL-E

FW344-TL-E 发布时间 时间:2025/12/28 10:06:35 查看 阅读:10

FW344-TL-E是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装(SMD)肖特基势垒二极管,采用SMA(DO-214AC)封装。该器件专为高频开关电源应用设计,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特性,适合用于提高电源转换效率的电路中。FW344-TL-E的命名符合行业标准,其中'FW'代表系列,'344'为型号标识,'TL-E'通常表示卷带包装和符合RoHS环保要求。该二极管广泛应用于消费类电子产品、计算机电源、DC-DC转换器以及逆变器等需要高效整流的场合。其结构采用平面技术制造,确保了良好的热稳定性和长期可靠性。此外,该器件能够在较高的结温下工作,增强了其在紧凑型高密度PCB布局中的适用性。由于其表面贴装封装形式,FW344-TL-E适用于自动化贴片工艺,提高了生产效率并降低了组装成本。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)
  配置:单路
  反向耐压(VRRM):40V
  平均整流电流(IO):3A
  正向电压降(VF):典型值0.525V(在3A时)
  最大峰值浪涌电流(IFSM):80A(8.3ms单半波)
  反向漏电流(IR):最大500μA(在40V、25°C时)
  工作结温范围:-65°C 至 +125°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  反向恢复时间(trr):典型值≤15ns
  安装类型:表面贴装
  引脚数:2

特性

FW344-TL-E的核心特性之一是其低正向导通电压,这显著降低了导通损耗,从而提升了整体电源系统的能效。在3A的工作电流下,其典型正向压降仅为0.525V,远低于传统PN结二极管,减少了发热并允许更高的功率密度设计。
  该器件具备快速的反向恢复能力,反向恢复时间trr典型值不超过15纳秒,使其非常适合高频开关应用,如开关模式电源(SMPS)、同步整流辅助电路和DC-DC变换器。在这些应用中,快速的开关特性可以减少开关瞬态过程中的能量损耗,避免电压尖峰和电磁干扰(EMI)问题。
  FW344-TL-E采用SMA封装,具有较小的占板面积和良好的散热性能。其封装材料符合UL 94 V-0阻燃标准,确保了在高温或故障条件下的安全性。同时,该器件通过了JEDEC J-STD-020对潮湿敏感等级(MSL)的规定,通常为MSL 1(无湿度敏感限制),便于在回流焊工艺中使用而无需额外防潮措施。
  该二极管具有优异的热稳定性,在+125°C的最高结温下仍能保持可靠的电气性能。其反向漏电流在高温条件下也控制在合理范围内,确保在高温环境中不会因漏电增加而导致系统效率下降或热失控。
  FW344-TL-E符合RoHS指令,不含铅和其他有害物质,满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。其卷带包装形式(Tape & Reel)适用于高速自动贴片机,提升了大规模生产的效率和一致性。

应用

FW344-TL-E广泛应用于各类需要高效、小型化整流解决方案的电子设备中。在消费类电子产品中,如智能手机充电器、笔记本电脑适配器和平板电视电源模块,该二极管用于输出整流环节,帮助实现高能效和小体积的设计目标。
  在计算机和服务器电源系统中,FW344-TL-E常被用于+5V、+3.3V或+12V的DC-DC转换器次级侧整流,特别是在非隔离式降压(Buck)或升压(Boost)拓扑中作为续流二极管使用,有效降低功耗并提升动态响应速度。
  工业电源和LED驱动电源也是其重要应用领域。在这些应用中,电源需长时间稳定运行,且对效率和可靠性要求较高。FW344-TL-E的低VF和良好热性能有助于延长设备寿命并减少散热设计负担。
  此外,该器件可用于逆变器、UPS不间断电源和太阳能充电控制器中的防反接和整流电路。其快速响应能力和耐浪涌电流特性使其能够应对瞬态负载变化和输入波动,保障系统安全。
  在便携式设备和电池供电系统中,FW344-TL-E的低功耗特性有助于延长电池续航时间,是理想的电源管理组件之一。

替代型号

SR340-T3/TR
  MBR340
  SS34
  SB340

FW344-TL-E推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FW344-TL-E参数

  • 典型关断延迟时间19(N 通道)ns,35(P 通道)ns
  • 典型接通延迟时间11(P 通道)ns,7(N 通道)ns
  • 典型栅极电荷@Vgs11 nC @ -10 V(P 沟道),5 nC @ 10 V(N 沟道)
  • 典型输入电容值@Vds180 pF V @ 10 V(N 通道),510 pF V @ -10 V(P 通道)
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度4.4mm
  • 封装类型SOP 8
  • 尺寸5 x 4.4 x 1.5mm
  • 引脚数目8
  • 最大功率耗散1.7 W
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压30(N 通道)V,-30(P 通道)V
  • 最大漏源电阻值147(P 通道)mΩ,150(N 通道)mΩ
  • 最大连续漏极电流3.5(N 通道)A,-4(P 通道)A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目2
  • 类别MOSFET 驱动器
  • 通道模式增强
  • 通道类型N,P
  • 配置双、双漏极
  • 长度5mm
  • 高度1.5mm