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KTD1898-Y-RTF 发布时间 时间:2025/12/28 14:38:37 查看 阅读:9

KTD1898-Y-RTF 是一款由 KEC(韩国电子部件公司)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的平面条形技术,具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等优点,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等场合。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):100A(在 Tc=25℃)
  功耗(PD):125W
  导通电阻(RDS(on)):≤8.5mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

KTD1898-Y-RTF 具有出色的导通性能和开关特性,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件采用先进的平面工艺技术,确保了良好的热稳定性和电流承载能力。此外,KTD1898-Y-RTF 的栅极设计优化了开关速度,减少了开关损耗,适用于高频开关应用。其封装形式为 TO-252(DPAK),便于安装和散热,适用于表面贴装工艺。
  在可靠性方面,KTD1898-Y-RTF 通过了严格的测试标准,能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其宽泛的工作温度范围(-55℃ ~ +150℃)使其适用于各种工业和汽车电子应用场景。此外,该 MOSFET 具有良好的抗静电能力,能够在一定程度上抵御静电放电带来的损害,提高了器件的耐用性。
  该器件还具有良好的短路耐受能力,在短时间内的过载或短路情况下仍能保持稳定运行,避免因瞬态故障导致的损坏。KTD1898-Y-RTF 的这些特性使其成为一款适用于高功率密度和高效率要求的应用的理想选择。

应用

KTD1898-Y-RTF 主要用于各类功率电子设备中,如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及汽车电子系统等。在电源管理系统中,它可用于高效能的电压调节模块(VRM)和电源管理单元(PMU)。在汽车电子领域,KTD1898-Y-RTF 可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及电池保护电路等应用。此外,它也适用于工业控制设备、服务器电源、UPS(不间断电源)系统以及各类高功率 LED 驱动电路。

替代型号

IRF1404、SiS430DN、AON6260、NTMFS4C06N、FDMS7610

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