UGE3126AY4 时间：2025/8/5 22:13:07 阅读：24

UGE3126AY4 是一款由 UnitedSiC（United Semiconductor Corporation）设计的 SiC（碳化硅）功率晶体管驱动器集成电路。该器件专为高效、高频率功率转换应用设计，能够驱动 SiC MOSFET 和 SiC JFET 等宽禁带半导体器件。UGE3126AY4 具备高驱动能力、低传输延迟和良好的隔离性能，适用于需要高效率和高可靠性的电源系统，如电动汽车充电器、太阳能逆变器、储能系统和工业电源设备。

参数

工作电压：15V至30V
　　输出电流：±2.5A峰值驱动电流
　　传输延迟：最大200ns
　　上升/下降时间：典型值为15ns/15ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输入逻辑兼容性：3.3V/5V TTL/CMOS兼容
　　过流保护：内置去饱和检测功能
　　供电电流：典型值为10mA
　　隔离电压：5kVrms（增强型隔离）

特性

UGE3126AY4 是一款高性能的 SiC 功率器件驱动芯片，具备多项关键特性以满足高效率和高可靠性的应用需求。首先，该芯片支持高输出驱动能力，其 ±2.5A 峰值驱动电流可以有效驱动 SiC MOSFET 和 JFET 器件，确保开关过程中的快速响应和低损耗。其次，UGE3126AY4 的传输延迟非常低，最大延迟仅为 200ns，并且上升和下降时间均在 15ns 左右，这使得其适用于高频开关应用，有助于提高整体系统的效率。
　　该芯片具有增强型隔离功能，隔离电压可达 5kVrms，确保在高电压环境中运行的安全性和稳定性。UGE3126AY4 的输入逻辑兼容 3.3V 和 5V 电平，使其能够与多种控制器和 DSP 系统无缝连接。此外，该芯片内部集成了去饱和检测电路，用于实现过流保护功能，防止功率器件因短路或过载而损坏，从而提高系统的可靠性。
　　UGE3126AY4 的工作温度范围为 -40°C 至 +125°C，适应各种工业环境下的稳定运行。其供电电流仅为 10mA，功耗较低，有助于提高系统整体能效。该芯片采用紧凑的封装形式，便于在高密度 PCB 设计中使用，适用于电动汽车充电系统、光伏逆变器、UPS 和储能系统等应用领域。