时间：2025/6/17 12:40:09
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FV55X682K202EFG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低系统能耗并提升整体性能。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，通过优化设计实现了极佳的动态特性与热稳定性。其封装形式为行业标准，便于集成到各种电子设备中。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：35mΩ
栅极电荷：55nC
反向恢复时间：90ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FV55X682K202EFG 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：高达 650V 的漏源电压使其适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：35mΩ 的导通电阻确保了高效的电力传输，减少功率损耗。
3. 快速开关速度：较小的栅极电荷和反向恢复时间提高了工作效率。
4. 热稳定性强：即使在极端温度条件下也能保持稳定运行。
5. 封装兼容性好：易于安装且适应多种 PCB 布局需求。
6. 综合保护功能：内置过流保护机制以增强可靠性。
该芯片适用于多个领域的应用场景，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管控制设备中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器的核心功率转换元件。
4. LED 照明系统的驱动电路。
5. 各种消费类电子产品中的 DC-DC 转换器。
6. 充电器及适配器内的功率管理模块。
FV55X682K201EFG
FV55X682K203EFG
IRF840
STP14NK65Z
