FV55X103K302EGQ 是一款高性能的陶瓷电容器,属于 FV 系列。该系列电容器采用了先进的制造工艺,具有高可靠性、低等效串联电阻(ESR)和良好的频率特性。这种电容器通常用于电源滤波、信号耦合、去耦以及射频电路中,以提供稳定的性能和高效的能量传输。
该型号中的参数定义如下:FV 表示产品系列,55X 指的是尺寸代码,103 表示标称容量(10nF),K 表示容差为±10%,302 表示额定电压为3kV,E 表示端电极材料为镀锡,G 表示温度特性为C0G(温度系数为0±30ppm/°C),Q 表示封装类型为径向引脚型。
标称容量:10nF
容差:±10%
额定电压:3kV
温度特性:C0G(0±30ppm/°C)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:径向引脚型
外形尺寸:5.5mm x 5.5mm
绝缘电阻:≥5000MΩ
介质损耗:≤0.15%
FV55X103K302EGQ 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:该电容器的额定电压高达3kV,适用于高压环境下的电路设计。
2. 温度稳定性:采用C0G介质,确保在宽温度范围内具有极高的稳定性,温度系数仅为0±30ppm/°C。
3. 低ESR:具有较低的等效串联电阻,可有效减少高频信号下的能量损耗。
4. 小型化设计:尽管具备高耐压性能,其外形尺寸仅为5.5mm x 5.5mm,适合紧凑型电路布局。
5. 长寿命与高可靠性:采用高质量材料制造,保证了长期使用中的稳定性和可靠性。
6. 广泛的工作温度范围:支持从-55°C到+125°C的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
FV55X103K302EGQ 主要应用于以下领域:
1. 高压电源滤波:用于去除电源中的噪声和纹波,提高电源质量。
2. 射频电路:作为耦合或旁路电容,帮助实现信号的高效传输。
3. 工业控制设备:适用于需要高稳定性和可靠性的工业自动化系统。
4. 医疗设备:在医疗成像和诊断设备中提供稳定的电容性能。
5. 通信设备:用于基站、路由器和其他通信设备中的信号处理电路。
6. 军事与航空航天:由于其高温稳定性和高可靠性,广泛应用于军事和航空航天领域。
FV57X103K302EGQ
FV55X103J302EGQ
FV55X103K302EGAQ