PUMD2,115 时间：2025/9/15 1:51:45 阅读：5

PUMD2,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该器件专为高频应用而设计，广泛用于射频（RF）和模拟电路中的开关和放大功能。PUMD2,115 是采用 SOT-23 封装的小型晶体管，适合在高频率和低功率条件下运行。由于其良好的性能和小型化封装，该晶体管常用于通信设备、无线模块、音频放大器和其他高频电子电路中。

参数

晶体管类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　最大工作频率（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据工作条件不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

PUMD2,115 是一款高性能 NPN 晶体管，具有优异的高频响应能力，适用于多种射频和模拟电路设计。该晶体管的电流增益范围较宽，从110到800，这使其能够适应不同的放大需求。此外，其较高的最大工作频率（fT）达到100 MHz，非常适合用于高频信号放大和处理。SOT-23 小型封装结构使该晶体管在空间受限的电路板设计中具有很高的适用性，同时便于自动化装配。PUMD2,115 还具备良好的热稳定性和较高的可靠性，可在恶劣环境中稳定运行。其最大集电极电流为100 mA，适用于低功率放大和开关应用。该器件的集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30 V，保证了在中等电压应用中的安全运行。此外，最大功耗为300 mW，支持较高的工作效率。由于其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C），PUMD2,115 能够在各种极端环境条件下稳定运行。

应用

PUMD2,115 主要用于高频放大电路，例如在无线通信设备、射频接收器、音频放大器和信号调节电路中。它也可用于数字开关电路、逻辑电路和电源管理模块。在射频应用中，该晶体管可以用于信号放大和混频器电路。此外，PUMD2,115 适用于低功率电子设备，如便携式收音机、蓝牙模块、Wi-Fi 芯片组和传感器接口电路。在工业控制系统中，它可以作为小信号开关或缓冲器使用。该晶体管还广泛用于消费类电子产品、汽车电子系统以及测试测量仪器中，提供可靠的高频信号处理能力。