时间：2025/8/7 10:58:09
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NVMFD5C466NT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效能和低导通电阻的场合。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有优异的导通性能和开关特性。NVMFD5C466NT1G 特别适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：6.9A
导通电阻(Rds(on))：28mΩ @ Vgs=10V, 40mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：PowerT6?
NVMFD5C466NT1G 采用先进的 Trench MOSFET 技术，使得器件在导通状态下的电阻非常低，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。该器件的低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
NVMFD5C466NT1G 的最大漏源电压为 30V，允许其在中等功率应用中使用，而连续漏极电流能力为 6.9A，足以支持大多数电源管理任务。其导通电阻在 Vgs=10V 时为 28mΩ，在 Vgs=4.5V 时为 40mΩ，这种灵活性使其可以在不同的驱动条件下保持高性能。
该 MOSFET 的封装形式为 PowerT6?，这种封装提供了良好的热性能，有助于有效地散热，从而提高了器件的可靠性和寿命。此外，该器件的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C，适用于各种环境条件下的应用。
NVMFD5C466NT1G 还具有良好的热稳定性和短路保护能力，确保在异常工作条件下也能保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 到 20V 之间工作，适合与多种类型的驱动电路配合使用。
NVMFD5C466NT1G MOSFET 广泛应用于多个领域，特别是在需要高效能功率管理的场合。其主要应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统以及各种电源管理模块。
在 DC-DC 转换器中，NVMFD5C466NT1G 可以作为主开关器件，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率。在同步整流器中，该器件可以显著减少导通损耗，从而提高整体系统效率。
作为负载开关，NVMFD5C466NT1G 可用于控制不同负载的电源供应，例如在笔记本电脑或移动设备中切换不同的功能模块。在电机控制电路中，它可以作为 H 桥结构的一部分，控制电机的正反转及速度调节。
此外，NVMFD5C466NT1G 还适用于电池管理系统，用于控制电池的充放电过程，确保电池在安全的工作范围内运行。在工业自动化和通信设备中，该器件也可用于电源分配和功率控制，提高系统的稳定性和可靠性。
Si4466DY, FDS6680, IRF7413, NVTFS5C466NL
