FV43X681K202ECG 是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),适用于高频率和高效率的开关应用。该器件采用了先进的制造工艺,确保了其在多种电力电子系统中的稳定性和可靠性。它通常用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
FV43X681K202ECG 的设计使其能够承受较高的电压和电流,同时保持较低的导通电阻。这使得该器件在功率转换应用中表现出色,能够有效减少能量损耗并提高整体系统的效率。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压:650V
最大栅源电压:±20V
最大漏极电流:20A
导通电阻(典型值):0.06Ω
总功耗:190W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
FV43X681K202ECG 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力,可承受高达650V的漏源电压,适用于高压环境。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),典型值为0.06Ω,有助于降低导通损耗。
3. 快速开关性能,支持高频操作,适用于高效功率转换电路。
4. 内置反向恢复二极管,提升工作效率的同时减少了电磁干扰。
5. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
FV43X681K202ECG 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和直流-直流转换器。
2. 太阳能逆变器和风能发电系统。
3. 工业电机驱动和伺服控制。
4. 电动车(EV)和混合动力车(HEV)的电控单元。
5. 不间断电源(UPS)系统。
6. LED照明驱动电路。
该器件因其出色的电气特性和可靠性,成为许多高要求应用场景的理想选择。
FV43X681K202ECA, IRFP460, STP20NM65E