时间：2025/6/4 19:58:28
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FV32N471J202EEG 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的N沟道功率MOSFET，采用TO-252-3L封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动等场景，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率和可靠性。
这款功率MOSFET具有47V的耐压等级，适用于中低压应用环境，并且优化了栅极电荷以降低开关损耗。此外，它还支持大电流连续工作能力，适合对效率和热性能有较高要求的设计。
最大漏源电压(Vds)：47V
连续漏极电流(Id)：32A
导通电阻(Rds(on))：1.6mΩ
栅极电荷(Qg)：28nC
输入电容(Ciss)：2090pF
输出电容(Coss)：390pF
反向传输电容(Crss)：110pF
典型栅极阈值电压(Vgs(th))：2.6V
功耗(PD)：28W
结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
1. 超低导通电阻Rds(on)，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，可满足大功率应用场景需求。
3. 快速开关速度，栅极电荷Qg较低，能有效降低开关损耗。
4. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
5. 提供出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好性能。
6. 封装紧凑，适合空间受限的应用场合。
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电动工具及家用电器的马达驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. LED照明驱动电路中的功率管理。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换功能。
FV32N471J202EFG, FV32N471J202EFH
