MDD9N40RH 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款器件以其高效率和良好的热性能而著称,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型:N 沟道
漏源电压(Vds):400 V
连续漏极电流(Id):9 A
导通电阻(Rds(on)):约 0.85 Ω(最大值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2 V 至 4 V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
MDD9N40RH 的设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,使其在高频开关应用中表现出色。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高温环境下可靠工作。MDD9N40RH 的栅极驱动要求较低,简化了驱动电路的设计。其封装设计有助于有效的散热管理,确保在高功率应用中的稳定运行。
在实际应用中,MDD9N40RH 的高耐压能力和较高的额定电流能力使其适用于多种电源管理场景。例如,在 DC-DC 转换器中,它可以有效地实现电压转换并减少能量损耗。此外,该 MOSFET 在负载开关和电机控制应用中也表现出色,能够提供可靠的开关性能和较长的使用寿命。由于其优良的电气特性和热管理能力,MDD9N40RH 成为许多高功率应用的首选器件。
MDD9N40RH 主要用于以下应用场景:DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、工业电源管理、LED 驱动器以及消费类电子产品的电源设计。
MDD9N40R5、MDD8N40H、MDD10N40H