时间：2025/9/6 11:27:45
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MDD9N40RH 是一款由 MagnaChip 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款器件以其高效率和良好的热性能而著称，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：400 V
连续漏极电流（Id）：9 A
导通电阻（Rds(on)）：约 0.85 Ω（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2 V 至 4 V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
MDD9N40RH 的设计优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。MDD9N40RH 的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计。其封装设计有助于有效的散热管理，确保在高功率应用中的稳定运行。
在实际应用中，MDD9N40RH 的高耐压能力和较高的额定电流能力使其适用于多种电源管理场景。例如，在 DC-DC 转换器中，它可以有效地实现电压转换并减少能量损耗。此外，该 MOSFET 在负载开关和电机控制应用中也表现出色，能够提供可靠的开关性能和较长的使用寿命。由于其优良的电气特性和热管理能力，MDD9N40RH 成为许多高功率应用的首选器件。
MDD9N40RH 主要用于以下应用场景：DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、工业电源管理、LED 驱动器以及消费类电子产品的电源设计。
MDD9N40R5、MDD8N40H、MDD10N40H
