时间：2025/6/19 11:17:35
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FV31N820J102ECG是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）生产。该器件采用N沟道技术设计，适用于广泛的开关和功率转换应用。其优化的Rds(on)特性使其非常适合在高效率、低功耗的电路中使用。
这款MOSFET具有出色的热性能和电气性能，同时采用了先进的制造工艺以确保可靠性与耐用性。它广泛应用于电源管理、电机驱动以及消费类电子产品的开关电路中。
最大漏源电压(Vds)：820V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：3.1A
脉冲漏极电流(Ip)：7.5A
导通电阻(Rds(on))：6.5Ω
总栅极电荷(Qg)：60nC
输入电容(Ciss)：2000pF
输出电容(Coss)：90pF
反向传输电容(Crss)：40pF
工作结温范围：-55℃ to +150℃
FV31N820J102ECG的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压高达820V，适合高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 总栅极电荷较低，从而减少了开关损耗，提高了高频下的性能。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内正常工作。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 采用TO-220封装形式，易于安装和散热。
FV31N820J102ECG主要应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的开关器件。
3. 逆变器和UPS系统中的关键组件。
4. 各种工业控制和家电设备中的高压开关应用。
5. 用于负载切换和保护的电路设计。
6. 高压直流-直流转换器中的功率级开关。
FV31N820A, FDP5700, IRFP260N
