类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：650V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4A
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

FTK4N65D具有多项优异的电气和机械特性，适用于多种高功率应用场景。首先，其漏极-源极电压高达650V，能够承受较高的电压应力，适用于高电压输入的电源系统。其次，该MOSFET的导通电阻较低，确保在导通状态下功率损耗最小化，从而提升整体系统效率。
　　此外，FTK4N65D采用了TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围为±20V，具备较高的栅极抗扰能力，适用于多种驱动电路设计。该器件的热阻较低，能够在高温环境下保持良好性能，提升系统的可靠性。
　　在可靠性方面，FTK4N65D通过了严格的工业级测试，具备良好的抗静电能力和抗过载能力，适合在工业自动化、电源适配器、LED驱动电源等应用中使用。

FTK4N65D广泛应用于各种中高功率电子设备中，尤其是在需要高耐压和高效能的场合。典型应用包括AC-DC开关电源、DC-DC转换器、逆变器、LED照明驱动电路、电机控制模块以及家用电器的电源部分。此外，该MOSFET也可用于UPS（不间断电源）、工业控制设备和智能电表等对可靠性要求较高的系统中。
　　由于其良好的导通特性和热稳定性，FTK4N65D在高频开关应用中表现优异，有助于减少开关损耗并提高系统整体效率。同时，其TO-220封装便于安装和散热管理，适用于多种PCB布局设计。

KIA4N65, FQP4N65C, IRF740, STP4NK65Z