时间：2025/6/17 3:03:05
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ADTVSHC3N18VU 是一款高性能的 N 沣道开关晶体管，采用先进的制造工艺以提供卓越的电气性能和可靠性。此器件专为高频、高效率应用而设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
该产品广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景中。其出色的热特性和封装设计确保了在严苛环境下的稳定工作。
类型：N 沆道 MOSFET
耐压值（Vds）：18 V
电流（Id）：40 A
导通电阻（Rds(on)）：2.5 mΩ
栅极电荷（Qg）：29 nC
功耗：175 W
封装形式：TO-263-3
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
ADTVSHC3N18VU 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，可支持高频应用，降低开关损耗。
3. 高电流承载能力，满足大功率应用需求。
4. 良好的热性能，有助于提升整体系统的可靠性和散热表现。
5. 紧凑型封装设计，节省 PCB 空间。
6. 广泛的工作温度范围，适用于各种恶劣环境条件。
这款 MOSFET 适合于多种应用领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
3. 工业设备中的电机驱动和逆变器。
4. 汽车电子中的负载切换和电源管理。
5. LED 照明驱动器中的功率调节。
6. 通信设备中的高效功率转换解决方案。
IRLB8748PBF
STP40NF06
FDP5500
IXFN40N10T2
