型号：FSW25N50A
　　制造商：onsemi（原Fairchild Semiconductor）
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）@25°C：25A
　　漏极电流（Id）@100°C：16A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.085Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：3V ~ 4V
　　栅极电荷（Qg）@10V Vds：90nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：2400pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：190pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：45ns（典型值）
　　二极管正向电压（Vf）：1.4V（典型值）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

FSW25N50A采用超结（Super Junction）结构设计，这一技术通过在P型和N型外延层之间形成交替排列的柱状结构，有效降低了传统MOSFET在高耐压条件下的导通电阻，从而实现了“电压-电阻”折衷关系的突破。这种结构使得器件在500V的高耐压下仍能保持低至85mΩ的Rds(on)，大幅减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。尤其在高频率开关应用中，如LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑中，低导通电阻意味着更小的I2R损耗，有助于实现更高的能效等级，满足能源之星或CoC Tier 2等严格能效标准。
　　该器件具备优良的开关特性，其栅极电荷（Qg）仅为90nC左右，这意味着驱动电路所需的驱动功率较低，可以使用成本更低、功耗更小的驱动IC，同时也有助于提升系统的开关频率上限。较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）进一步减少了充放电能量损失，提高了高频工作的可行性。此外，FSW25N50A的输出电荷（Qoss）也经过优化，有助于降低关断过程中的能量损耗，减少发热。
　　体二极管的性能同样出色，反向恢复时间（trr）约为45ns，且反向恢复电荷（Qrr）较小，这在连续导通模式（CCM）PFC电路或桥式拓扑中尤为重要，能够显著降低二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI）。结合其高dv/dt和di/dt抗扰能力，FSW25N50A在复杂电磁环境中表现出良好的稳定性。
　　热性能方面，TO-247封装提供了较大的金属背板面积，便于安装散热器，有效降低热阻（Rth(j-c)），确保长时间高负载运行下的结温处于安全范围内。该器件还具备良好的雪崩耐量，能够承受一定程度的电感性负载突变，提高了系统在异常情况下的鲁棒性。此外，onsemi对产品制造过程实施严格的质量控制，确保器件的一致性和长期可靠性，适用于工业级和商业级应用环境。

FSW25N50A广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，特别是在追求高效率和高功率密度的现代电源设计中表现突出。常见应用包括通信电源、服务器PSU、工业电源模块以及太阳能微逆变器等。在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中，FSW25N50A可作为升压开关管使用，凭借其低Rds(on)和快速开关特性，有效降低导通与开关损耗，提升PFC级的整体效率。在LLC半桥或全桥谐振转换器中，该器件可用于主开关节点，其低Qg和良好体二极管特性有助于实现零电压开关（ZVS），进一步减少开关应力和EMI噪声。
　　此外，该器件也适用于大功率适配器、充电站电源模块、LED恒流驱动电源等领域，尤其是在需要宽输入电压范围和高能效指标的应用中优势明显。由于其具备较强的电流承载能力和热稳定性，FSW25N50A还可用于电机驱动中的低端开关或小型逆变桥臂中。在消费类高端家电如变频空调、洗衣机变频模块中，该器件也能胜任部分功率切换任务。得益于其高可靠性和成熟的封装工艺，FSW25N50A在工业自动化设备、医疗电源以及户外电源系统中也有广泛应用。工程师在设计时需注意布局布线以最小化寄生电感，并合理配置驱动电路参数，以充分发挥其性能潜力。

FQP25N50, FCH25N50, STW25N50, IPW25N50C3