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MPL2012S1R0NHT 发布时间 时间:2025/9/19 17:09:37 查看 阅读:7

MPL2012S1R0NHT是一款由Monolithic Power Systems(MPS)生产的高效率、小尺寸功率电感器,专为满足现代高性能电源管理应用的需求而设计。该器件属于MPL2012系列,广泛应用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)、负载点(POL)电源系统以及其他需要紧凑型磁性元件的场合。MPL2012S1R0NHT采用先进的封装技术和材料工艺,具备低直流电阻、高饱和电流和良好的热稳定性,能够在有限的空间内提供出色的能量传输性能和可靠性。其结构设计优化了电磁屏蔽效果,有效降低了电磁干扰(EMI),适用于对噪声敏感的电子设备。此外,该电感器具有全屏蔽结构,增强了抗外部磁场干扰的能力,同时减少了漏磁,提升了整体系统的电磁兼容性。MPL2012S1R0NHT的工作温度范围宽,通常支持-40°C至+125°C的环境温度操作,适合在工业控制、通信设备、便携式电子产品及汽车电子等多种严苛环境下稳定运行。

参数

产品系列:MPL2012
  电感值:1.0μH
  额定电流:2.5A(典型)
  直流电阻(DCR):75mΩ(最大)
  饱和电流(Isat):3.0A(通常指电感值下降30%时的电流)
  温升电流(Irms):2.5A(导致温升约40°C的RMS电流)
  自谐振频率(SRF):>100MHz(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  存储温度范围:-40°C 至 +155°C
  封装尺寸:2.0mm x 1.2mm x 1.0mm(L x W x H)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  端子材料:铜合金,镀锡处理
  屏蔽类型:全屏蔽磁性结构
  环保标准:符合RoHS指令,无卤素(Halogen-free)

特性

MPL2012S1R0NHT功率电感器具备多项卓越的技术特性,使其在同类产品中脱颖而出。首先,其采用了先进的粉末合金磁芯材料,这种材料不仅具有优异的磁导率稳定性,还能在大电流下保持较高的电感值,显著提升电源系统的动态响应能力和负载调整率。其次,该电感器内部绕组采用扁平铜线或箔片绕制技术,大幅降低了交流电阻和趋肤效应带来的损耗,从而提高了整体转换效率,尤其在高频开关电源中表现更为突出。
  另一个关键特性是其全屏蔽结构设计。该结构通过将磁芯完全包裹在金属屏蔽层内,有效抑制了磁场外泄,极大程度地减少了对外部电路的电磁干扰(EMI),同时也增强了自身抗外界磁场干扰的能力。这对于高密度PCB布局和多通道电源系统尤为重要,有助于简化EMI滤波电路的设计并降低系统成本。
  此外,MPL2012S1R0NHT具备出色的热管理能力。其低直流电阻(DCR)减少了I2R损耗,配合高效的散热路径设计,使得器件在高负载条件下仍能维持较低的工作温度,延长使用寿命并提高系统可靠性。器件还经过严格的高温老化测试和机械应力测试,确保在振动、冲击等恶劣环境中依然保持稳定的电气性能。
  值得一提的是,该电感器的小型化封装(仅2.0mm x 1.2mm x 1.0mm)非常适合空间受限的应用场景,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端和超薄笔记本电脑等。尽管体积小巧,但其电流处理能力和耐压性能并未妥协,体现了MPS在微型功率电感领域的领先技术水平。

应用

MPL2012S1R0NHT广泛应用于各类需要高效、小型化电感解决方案的电子系统中。在移动设备领域,它常用于手机、平板电脑和智能手表中的降压型DC-DC转换器,作为输出滤波电感,帮助实现高效率的电池供电管理。其低高度设计特别适合超薄设备的主板布局需求。
  在通信基础设施方面,该电感器可用于路由器、交换机和基站模块中的电源管理单元,支持多相VRM架构,为FPGA、ASIC和微处理器提供稳定的电压供应。其高频特性与低EMI表现有助于提升信号完整性和系统稳定性。
  在消费类电子产品中,如TWS耳机充电仓、智能家居控制器和便携式医疗设备,MPL2012S1R0NHT凭借其高可靠性和紧凑尺寸成为理想选择。同时,在工业自动化和汽车电子领域,该器件也被用于传感器供电、LED驱动和车载信息娱乐系统的电源转换部分,能够在宽温范围和复杂电磁环境中长期稳定运行。
  此外,由于其良好的直流偏置特性和温度稳定性,MPL2012S1R0NHT也适用于各种同步整流降压变换器、恒流源电路以及需要快速瞬态响应的负载点(POL)电源设计。无论是用于单层PCB还是高密度多层板,该电感都能提供一致且可靠的性能表现,满足现代电子设计对小型化、高效率和高集成度的综合要求。

替代型号

MPL2012S1R0NT

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