时间：2025/9/7 17:58:38
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K1170是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于音频功率放大器、开关电源以及电机控制等高功率电子设备中。该晶体管以其高耐压、大电流承载能力和良好的热稳定性而受到电子工程师的青睐。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
最大漏-源电压（VDS）：60V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.045Ω（典型值）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至+175°C
K1170 MOSFET具有出色的导通性能和低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。该器件的封装形式通常为TO-220，具备良好的散热性能，适用于多种工业和消费类电子设备。
K1170的栅极设计使其能够承受较高的栅-源电压，同时确保器件在工作时具有稳定的开关特性。此外，其高耐压能力（60V漏-源电压）使其适用于中高功率应用，如D类音频放大器和DC-DC转换器。
由于其良好的热稳定性和可靠性，K1170在高温环境下依然能保持稳定的性能，降低了系统故障率，延长了设备的使用寿命。
K1170常用于音频功率放大器电路中，特别是在D类放大器中作为开关元件，以实现高效能、低失真的音频输出。此外，它也被广泛应用于开关电源（SMPS）、电机驱动电路、LED照明驱动器以及电池管理系统中。在工业控制领域，K1170可用于高电流负载的开关控制，例如继电器驱动、加热元件控制等。
IRFZ44N, FDPF4N60, STP16NF06, IRLZ44N
