时间：2025/9/3 22:35:19
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FSV15100V 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优良的热性能，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：15A（在TC=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为20mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55℃至175℃
FSV15100V具有多项优异的电气和热性能，能够满足高效率和高可靠性的设计需求。
首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。典型值为20mΩ，在VGS=10V条件下，能够有效减少功率损耗，从而提高整体能效。
其次，FSV15100V具备高达100V的漏源耐压能力，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统。
此外，该MOSFET的最大连续漏极电流为15A，在良好散热条件下可支持大电流负载。同时，其封装设计优化了热阻，使得在高功率工作状态下仍能保持良好的散热性能，提升器件的稳定性和可靠性。
FSV15100V还具备良好的栅极电荷（Qg）特性，有助于降低开关损耗，适用于高频开关应用。其±20V的栅源电压耐受能力也增强了在高压驱动环境下的安全性。
最后，该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和消费级电子产品设计。
FSV15100V广泛应用于多种功率电子系统中，尤其适合需要高效率、高可靠性和高耐压能力的设计场景。
在开关电源（SMPS）中，FSV15100V常用于同步整流、初级侧开关以及次级侧整流，其低导通电阻和高耐压特性有助于提升电源转换效率并降低发热。
在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为主开关管或同步整流管，适用于升压（Boost）、降压（Buck）及升降压（Buck-Boost）拓扑结构，满足各类便携设备和工业设备的电源管理需求。
此外，FSV15100V还可用于电机驱动、电池充电管理、太阳能逆变器、LED照明驱动以及各类工业控制系统中的功率开关应用。
由于其优良的热稳定性和可靠性，该器件也常用于需要长时间运行的工业设备和汽车电子系统中，如车载充电器、电动工具和电源适配器等。
IRF150, FDP15N10, STP15NK10Z, FQP15N10L
