FSV15100V 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的技术,具有低导通电阻、高耐压能力和优良的热性能,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):±20V
最大连续漏极电流(ID):15A(在TC=25℃)
导通电阻(RDS(on)):典型值为20mΩ(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):150W
工作温度范围:-55℃至175℃
FSV15100V具有多项优异的电气和热性能,能够满足高效率和高可靠性的设计需求。
首先,该器件的低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。典型值为20mΩ,在VGS=10V条件下,能够有效减少功率损耗,从而提高整体能效。
其次,FSV15100V具备高达100V的漏源耐压能力,能够承受较高的电压应力,适用于中高压电源转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池管理系统。
此外,该MOSFET的最大连续漏极电流为15A,在良好散热条件下可支持大电流负载。同时,其封装设计优化了热阻,使得在高功率工作状态下仍能保持良好的散热性能,提升器件的稳定性和可靠性。
FSV15100V还具备良好的栅极电荷(Qg)特性,有助于降低开关损耗,适用于高频开关应用。其±20V的栅源电压耐受能力也增强了在高压驱动环境下的安全性。
最后,该器件符合RoHS环保标准,适用于工业级和消费级电子产品设计。
FSV15100V广泛应用于多种功率电子系统中,尤其适合需要高效率、高可靠性和高耐压能力的设计场景。
在开关电源(SMPS)中,FSV15100V常用于同步整流、初级侧开关以及次级侧整流,其低导通电阻和高耐压特性有助于提升电源转换效率并降低发热。
在DC-DC转换器中,该MOSFET可作为主开关管或同步整流管,适用于升压(Boost)、降压(Buck)及升降压(Buck-Boost)拓扑结构,满足各类便携设备和工业设备的电源管理需求。
此外,FSV15100V还可用于电机驱动、电池充电管理、太阳能逆变器、LED照明驱动以及各类工业控制系统中的功率开关应用。
由于其优良的热稳定性和可靠性,该器件也常用于需要长时间运行的工业设备和汽车电子系统中,如车载充电器、电动工具和电源适配器等。
IRF150, FDP15N10, STP15NK10Z, FQP15N10L