时间：2025/4/29 11:33:18
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FST3257是一款高性能的N沟道功率MOSFET，适用于多种开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点。其封装形式通常为TO-220或DPAK，便于散热和集成到各种电路中。
FST3257主要应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域，能够提供高效稳定的性能表现。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻：1.9mΩ
栅极电荷：24nC
开关时间：开启延迟时间25ns，关断传播时间15ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高击穿电压确保在高压环境下稳定运行。
3. 快速开关速度，支持高频操作，减少电磁干扰(EMI)问题。
4. 强大的热性能，适合高功率密度设计。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
4. 各种负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
FDP3257, IRF3205, AON3257
