时间：2025/5/7 15:19:43
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TF50N08是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
TF50N08的设计旨在满足对高效率和低功耗要求的应用场合。它具有良好的热稳定性和耐用性，同时支持高电流负载，适合工业及消费类电子设备中的多种用途。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：50A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：35nC
总功耗：140W
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压设计（80V），保证在各种复杂电路环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（30mΩ），降低传导损耗，提升系统效率。
3. 较小的栅极电荷（35nC），有助于实现快速开关，减少开关损耗。
4. 大电流处理能力（连续漏极电流可达50A），适应高功率应用场景。
5. 工作温度范围宽广（-55℃至+150℃），确保在极端环境下的可靠性。
6. TO-220标准封装，易于安装与散热管理。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 各种电机驱动电路中的开关器件。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. LED照明驱动电路中的高效开关。
6. 逆变器及其他高频电力转换设备中的关键组件。
IRFZ44N
STP50NF06
FQP50N06L
