型号：FSS104-TL-E
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　极性：N-Channel
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID：170mA @ 10V VGS
　　脉冲漏极电流IDM：500mA
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：3.5Ω @ 10V VGS
　　栅极电荷Qg：1.5nC @ 10V VGS
　　输入电容Ciss：12pF @ 10V VDS
　　开启延迟时间td(on)：3ns
　　关断延迟时间td(off)：8ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻结到环境θJA：450°C/W
　　阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V

FSS104-TL-E具备优异的开关性能与低功耗特性，其核心优势在于低栅极电荷（Qg仅为1.5nC），这显著降低了驱动电路的能量损耗，特别适合高频开关应用。该器件的低输入电容（Ciss=12pF）有助于减少信号延迟和电磁干扰，提高系统的响应速度和稳定性。其快速的开启和关断延迟时间（分别为3ns和8ns）使其能够在高速数字电路中实现精确的信号控制。
　　N沟道结构配合30V的漏源击穿电压，使FSS104-TL-E不仅适用于3.3V或5V逻辑电平控制，也能在稍高的电压环境中安全运行。其170mA的连续漏极电流能力足以驱动小型负载如LED、传感器或逻辑门电路。此外，3.5Ω的低导通电阻确保了在导通状态下功耗最小化，提高了整体能效。
　　SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热性能和机械强度，适合回流焊工艺。器件符合RoHS环保标准，并通过AEC-Q101车规级可靠性测试，表明其在严苛环境下的稳定性和耐用性。FSS104-TL-E的阈值电压范围为1.0V至2.0V，支持低电压逻辑直接驱动，无需额外电平转换电路，简化了系统设计。
　　该MOSFET在静态功耗方面表现优异，待机电流极低，适用于电池供电设备以延长续航时间。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能在极端环境下可靠工作，适用于工业控制、汽车电子和户外设备等应用场景。综合来看，FSS104-TL-E是一款高性能、高可靠性的小信号MOSFET，兼顾效率、尺寸与成本，是现代电子设计中的理想选择之一。

FSS104-TL-E广泛应用于需要小型化、低功耗开关功能的电子系统中。典型用途包括便携式消费电子产品中的电源开关和负载控制，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动或外设电源管理。其快速开关特性也使其适用于信号多路复用和逻辑电平转换电路，在微控制器接口设计中作为驱动缓冲器使用。
　　在电池供电设备如可穿戴设备、无线传感器节点和物联网终端中，FSS104-TL-E用于切断未使用模块的电源以降低静态功耗，从而延长电池寿命。它还可用于LED指示灯或状态灯的开关控制，因其低导通电阻可减少发热并提高亮度一致性。
　　在工业和汽车电子领域，该器件可用于传感器信号切换、继电器驱动前级控制或CAN/LIN总线相关的电源管理模块。其AEC-Q101认证使其适用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制单元等对可靠性要求较高的场合。
　　此外，FSS104-TL-E也可用于模拟开关电路、音频信号路由、DC-DC转换器中的同步整流辅助控制等场景。由于其SOT-23封装易于手工焊接和自动化生产，因此也受到原型开发和小批量生产的青睐。总体而言，任何需要高效、紧凑型N沟道MOSFET进行低功率开关操作的应用均可考虑采用FSS104-TL-E作为解决方案。

MMBF104LT1G
　　NSS10401MT1G
　　FDC104N