时间：2025/5/10 9:15:45
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NTMFS4936NT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于需要高效率和高功率密度的电力电子应用。它广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关、电机驱动等领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK56D（TO-Leadless 封装），具有良好的散热性能和紧凑的设计，非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：76nC（典型值）
反向恢复时间：38ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
NTMFS4936特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 高额定电流能力，能够承受高达 28A 的连续漏极电流。
4. 小尺寸 LFPAK56D 封装，节省 PCB 空间。
5. 良好的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
6. 可靠性高，适用于严苛的工作条件。
NTMFS4936NT1G 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的功率级开关。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 工业电机驱动和逆变器。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
6. 高效功率转换电路和其他对效率要求较高的应用场景。
NTMFS4936NPT1G, FDP5510, IXTT40N03L4
