FSM20C4 是一款由 IXYS 公司制造的高速功率 MOSFET 模块,广泛应用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。该模块集成了多个 MOSFET 晶体管,采用双列直插式封装(DIP),便于散热和安装。FSM20C4 具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性等特点,适用于需要高效能功率转换的场合。
型号:FSM20C4
类型:MOSFET 功率模块
封装:DIP
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
漏极电流(Id):20A
漏极-源极电压(Vds):600V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
热阻(RthJC):1.2°C/W
热阻(RthJA):50°C/W
封装材料:塑料
FSM20C4 功率 MOSFET 模块具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流下的低功耗,从而提高了整体效率。
该模块的高漏极-源极电压(Vds)额定值为 600V,适用于中高压电源转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和逆变器。
由于其高栅极-源极电压(Vgs)额定值为 ±20V,FSM20C4 在栅极驱动电路设计上具有更高的灵活性和稳定性。
此外,该模块的高漏极电流能力(20A)使其能够驱动较大功率的负载,如直流电机和电磁阀等。
在热管理方面,FSM20C4 具有较低的热阻(RthJC 为 1.2°C/W),这有助于在高负载条件下有效散热,延长器件的使用寿命。
其塑料封装材料符合 RoHS 标准,支持环保制造流程,并提供良好的机械稳定性和绝缘性能。
该模块的封装形式为 DIP,便于在 PCB 上安装和维护,并且适用于自动化生产线。
综合来看,FSM20C4 是一款适用于多种工业和电源应用的高性能功率 MOSFET 模块。
FSM20C4 广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
在开关电源(SMPS)中,用于 DC-AC 或 DC-DC 转换电路,提供高效率的功率转换。
在电机控制应用中,作为 H 桥或半桥电路中的开关器件,控制直流电机的速度和方向。
在工业自动化系统中,用于驱动电磁阀、继电器和其他功率负载。
在太阳能逆变器和储能系统中,作为功率开关器件,实现高效的能量转换。
在电动汽车和充电设备中,用于功率调节和管理电路。
此外,该模块还可用于 UPS(不间断电源)、照明控制和家电变频器等领域,提供稳定可靠的功率控制。
IXYS IXTP20N60C4, STMicroelectronics STP20N60C3, Infineon IPP20N60S3-03