类型：N 沟道
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.0027Ω（典型值）
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双面散热

FSBH0270NYJ 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 0.0027Ω，这使得在大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 设计，提升了单位面积内的电流密度，从而在相同封装尺寸下实现了更高的性能。
　　此外，FSBH0270NYJ 采用 PowerPAK SO-8 封装，具有双面散热能力，有助于在高功率应用中有效散热，提升器件的热稳定性。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅源电压，使其适用于多种驱动电路设计。
　　该 MOSFET 具有快速开关特性，适合高频开关电源应用，同时具备较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于减少开关损耗。
　　FSBH0270NYJ 还具有良好的热阻性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。

FSBH0270NYJ 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换设备中。典型应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）等。
　　由于其低导通电阻和高电流能力，FSBH0270NYJ 特别适合用于高效率的同步整流电路，可显著提升转换器的整体效率。
　　此外，该器件也可用于服务器电源、通信电源、笔记本电脑适配器等高性能电源系统中，作为主开关或同步整流元件。
　　在电机控制和负载切换应用中，FSBH0270NYJ 的快速开关能力和低损耗特性使其成为理想的功率开关选择。
　　由于其具备良好的热稳定性和双面散热结构，该 MOSFET 在紧凑型高功率密度设计中也具有显著优势。

Si7461DP, FDS6680, IRF6717, BSC027N03LS