类型：功率MOSFET模块
　　漏源电压（Vds）：800V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：88mΩ（典型值）
　　封装形式：表面贴装（SMD），具体封装为FPM（Fuji Power Module）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　栅极驱动电压：10V至20V
　　最大耗散功率：150W（具体取决于散热条件）

FS7M0880采用了富士电机第七代MOSFET芯片技术，具有优异的电气性能和热管理能力。其主要特点包括低导通电阻（Rds(on)）和低开关损耗，使得该器件非常适合用于高频开关电源和高效率转换器设计。该模块的封装设计优化了热阻，提高了散热效率，从而增强了器件在高负载条件下的可靠性。此外，FS7M0880还具有较高的短路耐受能力和过热保护特性，确保系统在极端工况下的稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，便于与不同类型的驱动电路匹配，从而简化了设计流程。
　　在封装方面，FS7M0880采用的是富士特有的FPM（Fuji Power Module）结构，这种结构不仅减少了寄生电感，还提高了模块内部芯片之间的并联性能，使得多个模块并联使用时的电流分配更加均衡。这种封装技术还具有良好的机械稳定性和耐久性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能。此外，该模块符合RoHS环保标准，适用于绿色电子设备的设计。
　　FS7M0880的封装尺寸设计紧凑，有助于节省PCB空间，同时保持了良好的可焊性和可维护性。该模块在制造过程中采用了高质量的材料和先进的制造工艺，确保其在长期使用中的稳定性和可靠性。

FS7M0880广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电池充电器、焊接设备以及各种类型的DC-DC转换器。由于其低导通电阻和优异的开关性能，FS7M0880特别适合用于需要高频操作和高效率转换的场合。例如，在太阳能逆变器中，该模块可以显著降低能量转换过程中的损耗，提高系统的整体能效；在电机驱动器中，FS7M0880可以提供稳定的输出性能，同时减少发热，提高系统的稳定性和寿命。

SiC MOSFET模块如Cree/Wolfspeed的C2M0080120D、Infineon的IMZ120R5HMFXKTA1、STMicroelectronics的STD90N800V