时间：2025/8/13 19:28:02
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LBSS139TT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高功率密度，使其非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）@ 25°C：4.3A
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=10V：80mΩ
导通电阻（Rds(on)）@ Vgs=4.5V：130mΩ
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT-223
安装方式：表面贴装
LBSS139TT1G MOSFET 具备出色的电气性能和热性能。其低导通电阻可显著降低功率损耗，提高系统效率。由于采用先进的沟槽技术，该器件具有良好的热稳定性，能够在高电流负载下保持较低的温升。此外，LBSS139TT1G 还具有较高的开关速度，适用于高频开关应用，从而减小外围元件的尺寸并提高整体功率密度。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压，便于与不同类型的驱动电路兼容。SOT-223 封装设计有助于简化 PCB 布局，并提供良好的散热能力。LBSS139TT1G 还具有良好的抗静电能力和较高的可靠性，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。
LBSS139TT1G 主要用于电源管理领域，包括 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器、电池管理系统以及各种中低功率开关电路。它也常用于需要高效率和紧凑设计的嵌入式系统和便携式设备中。例如，在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备中，LBSS139TT1G 可用于电源管理单元（PMU）或电池充放电控制电路中。此外，该器件也可用于电机驱动、LED 驱动和各种工业自动化控制系统。
Si2302DS, BSS138, FDS6680, IRML2802
