2SB1197A_R1_00001 是一款由东芝(Toshiba)制造的PNP型双极性晶体管(BJT),主要用于高频放大和开关应用。这款晶体管采用小型表面贴装封装,适用于紧凑型电子设备和高性能电路设计。
晶体管类型:PNP型BJT
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vceo):30V
最大集电极-基极电压(Vcbo):30V
最大功耗(Ptot):200mW
增益带宽积(fT):100MHz
增益(hFE):110-800(取决于电流)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-23(SC-59)
2SB1197A_R1_00001 是一款高频PNP晶体管,具有优异的电流增益和低噪声特性,适用于射频(RF)和音频放大电路。其增益(hFE)范围广泛,从110到800,确保了在不同工作条件下具有良好的线性度和稳定性。
该晶体管的封装形式为SOT-23(SC-59),体积小巧,适合高密度PCB布局,并且具有良好的热稳定性和高频响应能力。这使得它在便携式电子设备和无线通信系统中非常受欢迎。
此外,2SB1197A_R1_00001 的最大集电极电流为100mA,集电极-发射极电压为30V,具备较高的耐压能力,适合用于中等功率的开关和放大应用。其最大功耗为200mW,在高频率操作下仍能保持较低的温度上升,确保设备的长期可靠性。
由于其良好的高频特性,该晶体管广泛应用于射频前端模块、低噪声放大器(LNA)、振荡器和混频器等电路中。此外,它也常用于音频放大器、逻辑电平转换电路和低功耗开关电路。
2SB1197A_R1_00001 主要应用于射频(RF)放大器、低噪声放大器(LNA)、振荡器、混频器、音频放大电路以及逻辑电平转换电路。该晶体管也常用于便携式通信设备、无线模块、射频前端模块和传感器接口电路。由于其高频响应和低噪声特性,非常适合用于无线通信系统中的信号处理和放大环节。
2SB1197A, 2N3906, BC557, PN2907