时间：2025/12/28 3:55:14
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FS5AS是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体，现属于onsemi）推出的高性能、低功耗的MOSFET器件，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各类开关电源系统中。该器件采用先进的平面技术制造，具备优异的导通电阻（RDS(on)）特性，能够在高电流负载条件下实现较低的功率损耗，从而提升整体系统的能效。FS5AS主要面向需要高效率和紧凑设计的应用场景，适用于消费类电子产品、工业控制设备以及便携式电子设备中的电源模块。
该器件封装形式通常为TO-220或TO-263（D2PAK），具备良好的热性能，便于在高功率密度环境下进行散热管理。其引脚配置简单，仅包含栅极（G）、漏极（D）和源极（S）三个端子，适合多种电路拓扑结构，如同步整流、负载开关和H桥驱动等。由于其高可靠性和稳定的电气性能，FS5AS被广泛用于各种中低压功率开关应用中，是工程师在设计高效电源系统时常用的MOSFET型号之一。
型号：FS5AS
制造商：onsemi（原Fairchild Semiconductor）
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：500 V
最大连续漏极电流（ID）：5.0 A（@25°C）
最大脉冲漏极电流（IDM）：20 A
最大栅源电压（VGS）：±30 V
导通电阻（RDS(on)）：1.8 Ω（@VGS = 10 V, ID = 2.5 A）
阈值电压（VGS(th)）：3.0 ~ 4.0 V（@ID = 250 μA）
输入电容（Ciss）：400 pF（@VDS = 25 V）
输出电容（Coss）：120 pF（@VDS = 25 V）
反向恢复时间（trr）：35 ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220 / TO-263 (D2PAK)
FS5AS作为一款中高压N沟道MOSFET，在多个关键性能指标上表现出色，尤其适用于中等功率开关电源应用。其最大的优势在于在500V耐压等级下仍能保持相对较低的导通电阻，这使得在高电压工作环境中也能有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了优化的晶圆工艺，确保了良好的载流子迁移率和较低的体二极管正向压降，从而在硬开关和软开关拓扑中均能稳定运行。
在动态特性方面，FS5AS具备较快的开关速度，得益于其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容，能够减少开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关电源设计。此外，其反向恢复时间较短，配合适当的驱动电路可显著降低开关瞬态过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的可靠性与稳定性。对于需要频繁开关操作的应用，如PFC电路或反激式转换器，FS5AS能够提供出色的耐用性和响应能力。
热性能方面，FS5AS采用标准通孔或表面贴装封装，具有良好的热传导路径，能够通过PCB铜箔或散热片有效散热，延长器件寿命。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在恶劣环境温度下正常工作，适用于工业级和部分汽车级应用场景。同时，该器件具备较强的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护能力，进一步增强了其在复杂电磁环境下的鲁棒性。综合来看，FS5AS在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中功率电源设计中的优选器件之一。
FS5AS广泛应用于多种电力电子系统中，尤其在需要高耐压和中等电流承载能力的场合表现突出。典型应用包括：离线式开关电源（SMPS），如适配器、充电器和LED驱动电源，其中FS5AS常被用作主开关管或同步整流管，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率；在有源功率因数校正（PFC）电路中，该器件可用于升压斩波结构，帮助实现更高的功率因数和更低的谐波失真。
此外，FS5AS也常见于DC-DC变换器拓扑，如反激、正激和半桥结构中，作为主功率开关元件，支持从交流输入到直流输出的高效能量转换。在电机控制领域，该器件可用于小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现精确的速度和方向控制。由于其较高的电压额定值，也可用于逆变器、UPS不间断电源和太阳能微逆系统中的功率切换环节。
在工业自动化设备中，FS5AS被用于固态继电器（SSR）、负载开关和电源分配单元中，替代传统机械继电器，提供更长的使用寿命和更快的响应速度。同时，因其良好的温度稳定性和抗干扰能力，也被应用于一些车载电子系统或户外电源设备中。随着对能源效率要求的不断提高，FS5AS凭借其成熟的技术和广泛的适用性，持续在绿色能源、智能家电和物联网供电模块等领域发挥重要作用。
FQP5N50, KF5AS, STP5NK50Z, 2SK3569
