时间：2025/8/25 6:07:34
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FQD4N60CTM是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及功率管理等应用。这款MOSFET采用先进的平面沟槽栅极技术，提供优良的RDS(on)性能和高电流处理能力。其额定电压为600V，适合中高功率系统的设计。FQD4N60CTM采用TO-252（也称为DPAK）封装，具有良好的散热性能和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）@25°C：4.4A
漏极功耗（PD）：50W
RDS(on) 最大值 @ VGS = 10V：1.9Ω
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
FQD4N60CTM MOSFET采用了先进的平面沟槽栅极技术，使其在高电压应用中具备优异的导通电阻（RDS(on)）性能，从而降低了导通损耗并提高了效率。该器件具有高达600V的漏源击穿电压，适用于多种高电压工作环境，如电源适配器、充电器、LED照明电源等。此外，FQD4N60CTM具备较高的热稳定性，其TO-252封装形式可提供良好的散热能力，确保在较高电流下仍能保持稳定工作。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V之间的驱动电压，适用于多种驱动电路设计。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，FQD4N60CTM具有较低的输入电容（Ciss）和反向恢复电荷（Qrr），在高频开关应用中表现出色。
在可靠性方面，FQD4N60CTM通过了严格的AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统中的功率管理应用。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
FQD4N60CTM MOSFET主要应用于开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、负载开关以及汽车电子系统中的功率管理模块。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高效率和高稳定性的中高功率电源设计。此外，它也可用于工业自动化设备、智能家电以及通信设备中的电源管理系统。
FQA4N60C、FQP4N60C、IRF840、FDPF4N60、FQPF4N60C
