FS55X225K101EFG 是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),主要用于功率转换和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为行业标准,便于设计和集成到各种电子系统中。
FS55X225K101EFG 的设计特别注重在高频开关条件下的效率优化,同时提供了良好的电气特性和可靠性,适合需要高效功率管理的场合。
型号:FS55X225K101EFG
类型:N沟道 MOSFET
工作电压:650V
最大漏源电流:10A
导通电阻:30mΩ
栅极电荷:40nC
开关频率:高达 500kHz
封装:TO-220
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
1. 低导通电阻(Rds(on))能够减少传导损耗,提升整体效率。
2. 高开关频率支持,适合高频功率转换应用。
3. 极小的栅极电荷有助于降低驱动功耗。
4. 宽工作温度范围使其适用于极端环境下的操作。
5. 封装形式经过优化,提供优异的散热性能。
6. 具备快速恢复二极管功能,增强系统稳定性。
7. 抗静电能力达到人体模型(HBM)±4kV,确保更高的可靠性和耐用性。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池管理系统中的负载切换。
5. LED 照明驱动器中的关键功率组件。
6. 工业自动化设备中的控制与驱动模块。
7. 太阳能逆变器中的功率处理单元。
FS55X225K101AFG, FS55X225K102EFG, FS55X225K103EFG