时间：2025/6/26 20:42:35
阅读：5
FS55X106K101EGG 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用增强型 GaN FET 结构，具有超低的导通电阻和快速开关性能，适合用于电源转换、无线充电、DC-DC 转换器以及各类高频功率电子设备中。
相比传统硅基 MOSFET，FS55X106K101EGG 提供了更高的效率和更小的尺寸，能够显著降低系统功耗并提升整体性能。
额定电压：650V
导通电阻：40mΩ
连续漏极电流：10A
栅极阈值电压：2V~4V
输入电容：940pF
反向恢复时间：30ns
工作温度范围：-55℃~150℃
FS55X106K101EGG 具有以下关键特性：
1. 高效的 GaN 增强模式技术，提供更低的导通电阻和开关损耗。
2. 支持高达 MHz 级别的开关频率，适合高频应用。
3. 内置保护功能，包括过流保护和短路保护。
4. 小型化的封装设计，有助于减少 PCB 占用面积。
5. 宽广的工作温度范围，能够在极端环境下保持稳定性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
FS55X106K101EGG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 无线充电发射端
4. 快速充电适配器
5. 电机驱动器
6. 工业电源模块
7. 太阳能微型逆变器
8. 汽车电子中的 DC-DC 转换
FS55X106K101EGH
FS55X106K101EGL
FS55X106K101EGP
