Si8220CB-D-ISR 是 Silicon Labs(芯科科技)生产的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于驱动高功率的 MOSFET 和 IGBT 等功率器件。该芯片采用电容隔离技术,提供高达 5 kV 的隔离电压,确保在高噪声和高电压环境中稳定工作。Si8220CB-D-ISR 适用于电源转换系统、电机控制、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等应用。
供电电压:2.9 V 至 5.5 V
输出驱动能力:±3.5 A(峰值)
隔离电压:5 kV(RMS)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
传播延迟:小于 80 ns
共模瞬态抗扰度(CMTI):大于 100 kV/μs
输入逻辑兼容性:CMOS/TTL
封装类型:8 引脚 DFN(CB-D)
Si8220CB-D-ISR 具备多项先进特性,确保其在复杂工况下的可靠运行。首先,其采用的电容隔离技术提供了高隔离等级,增强系统的安全性和抗干扰能力。其次,宽输入电压范围(2.9 V 至 5.5 V)使其能够兼容多种控制器和电源系统,提高设计灵活性。此外,该芯片具备低传播延迟和快速上升/下降时间,有助于提高功率转换效率,降低开关损耗。
该芯片还内置欠压锁定(UVLO)功能,防止在供电电压不足时误操作,保护功率器件的安全。同时,其高共模瞬态抗扰度(CMTI)可有效抑制高速开关噪声对信号完整性的影响,确保信号传输的稳定性。Si8220CB-D-ISR 的封装采用紧凑的 8 引脚 DFN 格式,有利于节省 PCB 空间并提升散热性能,适用于高密度电源系统设计。
Si8220CB-D-ISR 主要应用于需要高性能隔离驱动的场合,如工业变频器、伺服驱动器、UPS(不间断电源)、光伏逆变器、电动汽车车载充电器(OBC)以及储能系统中的 DC-DC 转换器等。此外,它还可用于驱动电机控制器中的 IGBT 模块,为工业自动化和机器人系统提供可靠的驱动解决方案。
Si8221CB-D-ISR, Si8261BC-B-IS, ADuM4221-1BRZ