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SI8220CB-D-ISR 发布时间 时间:2025/8/21 19:48:07 查看 阅读:18

Si8220CB-D-ISR 是 Silicon Labs(芯科科技)生产的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,广泛用于驱动高功率的 MOSFET 和 IGBT 等功率器件。该芯片采用电容隔离技术,提供高达 5 kV 的隔离电压,确保在高噪声和高电压环境中稳定工作。Si8220CB-D-ISR 适用于电源转换系统、电机控制、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等应用。

参数

供电电压:2.9 V 至 5.5 V
  输出驱动能力:±3.5 A(峰值)
  隔离电压:5 kV(RMS)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  传播延迟:小于 80 ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI):大于 100 kV/μs
  输入逻辑兼容性:CMOS/TTL
  封装类型:8 引脚 DFN(CB-D)

特性

Si8220CB-D-ISR 具备多项先进特性,确保其在复杂工况下的可靠运行。首先,其采用的电容隔离技术提供了高隔离等级,增强系统的安全性和抗干扰能力。其次,宽输入电压范围(2.9 V 至 5.5 V)使其能够兼容多种控制器和电源系统,提高设计灵活性。此外,该芯片具备低传播延迟和快速上升/下降时间,有助于提高功率转换效率,降低开关损耗。
  该芯片还内置欠压锁定(UVLO)功能,防止在供电电压不足时误操作,保护功率器件的安全。同时,其高共模瞬态抗扰度(CMTI)可有效抑制高速开关噪声对信号完整性的影响,确保信号传输的稳定性。Si8220CB-D-ISR 的封装采用紧凑的 8 引脚 DFN 格式,有利于节省 PCB 空间并提升散热性能,适用于高密度电源系统设计。

应用

Si8220CB-D-ISR 主要应用于需要高性能隔离驱动的场合,如工业变频器、伺服驱动器、UPS(不间断电源)、光伏逆变器、电动汽车车载充电器(OBC)以及储能系统中的 DC-DC 转换器等。此外,它还可用于驱动电机控制器中的 IGBT 模块,为工业自动化和机器人系统提供可靠的驱动解决方案。

替代型号

Si8221CB-D-ISR, Si8261BC-B-IS, ADuM4221-1BRZ

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SI8220CB-D-ISR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥15.38306卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数1
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)30kV/μs(标准)
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,40ns
  • 脉宽失真(最大)-
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,20ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低1.5A,2.5A
  • 电流 - 峰值输出2.5A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)2.5V(最大)
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)30 mA
  • 电压 -?输出供电12.2V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE