类型：肖特基二极管
　　配置：单只
　　最大重复反向电压（VRRM）：60V
　　平均整流电流（IO）：2A
　　正向压降（VF）：典型值0.53V（在1A, 25°C条件下）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：60A（单个半正弦波，8.3ms）
　　反向漏电流（IR）：最大200μA（在25°C，60V下）；高温时可达5mA（在125°C，60V下）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　热阻结至环境（RθJA）：约70°C/W（依PCB布局而定）
　　热阻结至引线（RθJL）：约25°C/W

FS22SM-9的核心特性之一是其低正向导通压降（VF），这是肖特基二极管相较于传统PN结二极管的最大优势。在1A电流和室温25°C条件下，其典型正向压降仅为0.53V，显著低于普通整流二极管的0.7V~1.2V范围。这一特性直接减少了导通期间的能量损耗（P = VF × IF），提升了电源转换效率，特别适合用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场合。此外，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此具备极快的反向恢复时间（trr < 10ns，通常不作规定），几乎无反向恢复电荷（Qrr），有效避免了在高频开关电路中因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题。这种快速开关能力使其非常适合用于高频DC-DC变换器、反激式电源输出侧整流以及续流二极管应用场景。
　　另一个关键特性是其良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围。FS22SM-9可在-55°C至+150°C的结温范围内安全运行，适应严苛的工业和汽车电子环境。尽管肖特基二极管普遍存在反向漏电流随温度升高而增大的问题，但FS22SM-9通过优化金属-半导体接触界面和引入阻挡层技术，将高温下的漏电流控制在可接受范围内（最高5mA @ 125°C）。同时，其SMA封装具备较好的散热能力，配合适当的PCB铜箔面积设计，可有效降低热阻，提升长期工作的可靠性。此外，该器件还具备较强的浪涌电流承受能力，额定值高达60A（8.3ms单半正弦波），能够在上电瞬间或负载突变时提供足够的电流耐受裕度，防止因瞬态过流导致器件损坏。综合来看，FS22SM-9在效率、速度、可靠性和热性能之间实现了良好平衡，是一款适用于多种中低压电源拓扑的理想选择。

FS22SM-9广泛应用于各类中低功率电源系统中，尤其是在需要高效率和快速响应的直流电源设计中扮演重要角色。一个典型的应用场景是作为开关电源（SMPS）中的次级侧整流二极管，特别是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和降压型（Buck）转换器中，利用其低VF和零反向恢复电荷特性来提高整体转换效率。相比传统的超快恢复二极管，使用FS22SM-9可以显著降低导通损耗和开关损耗，从而减少散热需求并提升功率密度。此外，它也常被用作DC-DC模块中的续流二极管（Freewheeling Diode），在电感储能释放过程中提供低阻抗路径，确保电流连续性并抑制电压尖峰。
　　在电池管理系统（BMS）和便携式电子产品如智能手机、平板电脑、移动电源中，FS22SM-9可用于防止电池反接或外部电源倒灌，起到反向极性保护的作用。此时，其低正向压降意味着更少的电压损失，有助于延长电池续航时间。在太阳能充电控制器、LED驱动电源等绿色能源相关产品中，该器件同样因其高效特性而受到青睐。此外，工业控制板、电机驱动电路和通信设备中的电源轨隔离、电压钳位和瞬态抑制电路也常采用此类肖特基二极管进行功能保障。值得一提的是，虽然FS22SM-9不具备同步整流MOSFET那样的主动控制能力，但在成本敏感或设计简化的需求下，仍可作为同步整流的替代方案使用，尤其适用于输出电流不大于2A的小功率适配器设计。总之，凡涉及中低压、中小电流、高频率或高效率要求的整流与保护电路，FS22SM-9均是一个成熟且可靠的选择。

BAT54C